研究機器一覧

外観 研究機器
分類
設置場所
共同利用
E001 集束イオンビーム装置
NB5000
加工・エッチング EIIRIS 2F 共同研究室5
E032 走査型電子顕微鏡
S-3000N:NORAN SYSTEM SIX
顕微鏡 EIIRIS 2F 共同研究室5
E006 卓上走査顕微鏡
JCM-5000
顕微鏡 EIIRIS 2F 共同研究室5
E007 デジタルマイクロスコープ
VHX-5000
顕微鏡 EIIRIS 2F 共同研究室5
E004 正立共焦点顕微鏡
A1Rsi-TY1
顕微鏡 EIIRIS 2F バイオ実験室
E002 高速イメージング顕微ラマン分光システム
NRS-7100
分光分析 EIIRIS 2F 共同研究室5
E030 PLラマン分光装置
LabRAM HR-800
半導体プロセス、計測 EIIRIS 2F 共同研究室5
E008 ナノ粒度分析装置
NPA253
汎用化学分析 EIIRIS 2F 共同研究室5
E009 EB描画装置
JBX-6300DA
半導体プロセス、転写・焼付 固体機能デバイス
E010 i線ステッパ
NSR-TFHi12CH
半導体プロセス、転写・焼付 固体機能デバイス
E011 i線用レジスト塗布・現像装置
PRD4-000-07-2
半導体プロセス、転写・焼付 固体機能デバイス
E012 SEM:測長走査型電子顕微鏡
JSM-7100F
表面分析 固体機能デバイス
E013 CMOS用 酸化・アニール炉
MODEL272H-300H15X070H
半導体プロセス、成膜、熱処理 固体機能デバイス
E014 LPCVD装置
DJ-11S689-M3
半導体プロセス、成膜 固体機能デバイス
E015 イオン注入装置
EXCEED2300SDV
半導体プロセス 固体機能デバイス
E016 マルチターゲットRF/DCスパッタ装置(CMOS用)
E-400S
半導体プロセス、成膜 固体機能デバイス
E017 CMOS用Alスパッタ装置
直流スパッタシステム
半導体プロセス、成膜 固体機能デバイス
E018 レジスト塗布両面アライナ
Micro Tec AG
半導体プロセス、転写・焼付 固体機能デバイス
E019 Siエッチング装置(XeF2ガス)
Xetech E1-β
半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F
E020 プラズマCVD装置(CMOS用)
PD-220M
半導体プロセス、成膜 VBL 1F
E021 マルチターゲットRFスパッタ装置(センサ/MEMS用)
C-7250
半導体プロセス、成膜 VBL 1F
E022 Si深堀りエッチング装置Deep-RIE
MUC21-RD
半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F
E023 反応性イオンエッチング装置(MEMS F系ガス用)
RIE-200F
半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F
E024 反応性イオンエッチング装置(MEMS Cl系ガス用)
RIE-200NL
半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F
E025 Siウエハ用レーザーダイシング装置
ML200
半導体プロセス、加工・エッチング 固体機能デバイス
E026 温度可変プローバ・計測器システム
半導体プロセス、計測 固体機能デバイス
E027 光干渉膜厚計
VM-1230
半導体プロセス、計測 固体機能デバイス
E028 FIB:集束イオンビーム加工装置
SMI3200TS
半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F
E029 ワイヤーボンダー(Au)
West bond 7700D-79
半導体プロセス 固体機能デバイス