研究機器一覧

外観 研究機器
 分類
 設置場所
 共同利用
E001 FIB：集束イオンビーム装置
nanoDUET NB5000 		加工・エッチング EIIRIS 2F 共同研究室5 ○
E002 高速イメージング顕微ラマン分光システム
NRS-7100 		分光分析 EIIRIS 2F 共同研究室5 ○
E004 CLSM：正立型共焦点顕微鏡
A1Rsi-TY1 		顕微鏡 EIIRIS 2F 共同研究室5 ○
E007 デジタルマイクロスコープ
VHX-500 		顕微鏡 EIIRIS 2F 共同研究室5 ○
E008 ナノ粒度分析装置
NPA253 		汎用化学分析 EIIRIS 2F 共同研究室5 ○
E030 PL(フォトルミネッセンス)/RAMAN 測定装置
LabRAM HR-800 		半導体プロセス、計測 EIIRIS 2F 共同研究室5 ○
E009 EB描画装置
JBX-6300DA 		半導体プロセス、転写・焼付 固体機能デバイス ○
E010 i線ステッパ
NSR-TFHi12CH 		半導体プロセス、転写・焼付 固体機能デバイス ○
E011 i線用レジスト塗布・現像装置
PRD4-000-07-2 		半導体プロセス、転写・焼付 固体機能デバイス ○
E012 SEM：測長走査型電子顕微鏡
JSM-7100F 		表面分析 固体機能デバイス ○
E013 CMOS用　酸化・アニール炉
MODEL272H-300H15X070H 		半導体プロセス、成膜、熱処理 固体機能デバイス ○
E014 LPCVD装置
DJ-11S689－M3 		半導体プロセス、成膜 固体機能デバイス ○
E015 イオン注入装置
EXCEED2300SDV 		半導体プロセス 固体機能デバイス ○
E016 マルチターゲットRF/DCスパッタ装置（CMOS用）
E-400S 		半導体プロセス、成膜 固体機能デバイス ○
E017 CMOS用Alスパッタ装置
直流スパッタシステム 		半導体プロセス、成膜 固体機能デバイス ○
E018 レジスト塗布両面アライナ
Micro Tec AG 		半導体プロセス、転写・焼付 固体機能デバイス ○
E019 Siエッチング装置（XeF2ガス）
Xetech　E1-β 		半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F ○
E020 プラズマCVD装置（CMOS用）
PD-220M 		半導体プロセス、成膜 VBL 1F ○
E022 Si深堀りエッチング装置Deep-RIE
MUC21-RD 		半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F ○
E023 反応性イオンエッチング装置（MEMS F系ガス用）
RIE-200F 		半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F ○
E024 反応性イオンエッチング装置（MEMS Cl系ガス用）
RIE-200NL 		半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F ○
E025 Siウエハ用レーザーダイシング装置
ML200 		半導体プロセス、加工・エッチング 固体機能デバイス ○
E026 温度可変プローバ・計測器システム
 半導体プロセス、計測 固体機能デバイス ○
E027 光干渉膜厚計
VM-1230 		半導体プロセス、計測 固体機能デバイス ○
E028 FIB：集束イオンビーム加工装置
SMI3200TS 		半導体プロセス、加工・エッチング VBL 1F ○
E029 ワイヤーホンダ（Au）
West bond 7700D-79 		半導体プロセス 固体機能デバイス ○